Mechanism of copper chemical vapor deposition from copper dipivaloylmethanate in hydrogen Научная публикация
| Журнал |
Inorganic Materials
ISSN: 0020-1685 , E-ISSN: 1608-3172 |
||
|---|---|---|---|
| Вых. Данные | Год: 2005, Том: 41, Номер: 1, Страницы: 19-23 Страниц : DOI: 10.1007/s10789-005-0064-6 | ||
| Авторы |
|
||
| Организации |
|
Библиографическая ссылка:
Bakovets V.V.
, Levashova T.M.
, Dolgovesova I.P.
, Maksimovskii E.A.
Mechanism of copper chemical vapor deposition from copper dipivaloylmethanate in hydrogen
Inorganic Materials. 2005. V.41. N1. P.19-23. DOI: 10.1007/s10789-005-0064-6 OpenAlex
Mechanism of copper chemical vapor deposition from copper dipivaloylmethanate in hydrogen
Inorganic Materials. 2005. V.41. N1. P.19-23. DOI: 10.1007/s10789-005-0064-6 OpenAlex
Идентификаторы БД:
| OpenAlex: | W2063574494 |
Цитирование в БД:
| БД | Цитирований |
|---|---|
| OpenAlex | 3 |