Sciact
  • EN
  • RU

Химические реакции радикалов, стабилизированных на активированной поверхности диоксида кремния Научная публикация

Журнал Вестник Московского Университета. Серия 2: Химия
ISSN: 0579-9384 , E-ISSN: 1728-2101
Вых. Данные Год: 1995, Том: 36, Номер: 4, Страницы: 312-319 Страниц : 8
Авторы Осокина Наталия Юрьевна , Пергушов В И , Разсказовский Ю В , Рогинская М В , Серопегина Е Н , Мельников Михаил Яковлевич
Организации
Реферат: Предложен метод фотохимической активации поверхности SiO2. Полученная таким образом поверхность использована для изучения механизма реакции присоединения диоксида серы к алкильным радикалам, а также механизма превращений электронно-возбужденных радикалов, образующихся при взаимодействии парамагнитных центров на активированной поверхности SiO2 с метилакрилатом и метилметакрилатом.
Библиографическая ссылка: Осокина Н.Ю. , Пергушов В.И. , Разсказовский Ю.В. , Рогинская М.В. , Серопегина Е.Н. , Мельников М.Я.
Химические реакции радикалов, стабилизированных на активированной поверхности диоксида кремния
Вестник Московского Университета. Серия 2: Химия. 1995. Т.36. №4. С.312-319. РЖ ВИНИТИ
Идентификаторы БД:
РЖ ВИНИТИ: 3196.6Б2478