Химические реакции радикалов, стабилизированных на активированной поверхности диоксида кремния Научная публикация
| Журнал |
Вестник Московского Университета. Серия 2: Химия
ISSN: 0579-9384 , E-ISSN: 1728-2101 |
|---|---|
| Вых. Данные | Год: 1995, Том: 36, Номер: 4, Страницы: 312-319 Страниц : 8 |
| Авторы |
|
| Организации |
Реферат:
Предложен метод фотохимической активации поверхности SiO2. Полученная таким образом поверхность использована для изучения механизма реакции присоединения диоксида серы к алкильным радикалам, а также механизма превращений электронно-возбужденных радикалов, образующихся при взаимодействии парамагнитных центров на активированной поверхности SiO2 с метилакрилатом и метилметакрилатом.
Библиографическая ссылка:
Осокина Н.Ю.
, Пергушов В.И.
, Разсказовский Ю.В.
, Рогинская М.В.
, Серопегина Е.Н.
, Мельников М.Я.
Химические реакции радикалов, стабилизированных на активированной поверхности диоксида кремния
Вестник Московского Университета. Серия 2: Химия. 1995. Т.36. №4. С.312-319. РЖ ВИНИТИ
Химические реакции радикалов, стабилизированных на активированной поверхности диоксида кремния
Вестник Московского Университета. Серия 2: Химия. 1995. Т.36. №4. С.312-319. РЖ ВИНИТИ
Идентификаторы БД:
| РЖ ВИНИТИ: | 3196.6Б2478 |