Реферат: Изучены фотохимические превращения аллильных радикалов структуры ≡SiCH2CH-CH-CH2, ≡SiOCH2CH-CH-CH2, ≡SiOCH2CH2CH-CH-CH2, ≡SiCH2CH2CH2CH-CH-CH2, ≡SiOCH2CH2CH2CH-CH-CH2 (I-V соответственно) при действии света в запрещенном электронном переходе (λ = 370 нм) и комнатной температуре. Установлено, что при фотолизе наблюдается уменьшение общей концентрации радикалов, регистрируемых методом ЭПР при комнатной температуре. Для аллильных радикалов III-V в качестве продуктов фотопревращения зарегистрировано образование химически связанных с поверхностью аэросила радикалов алкильного типа с локализацией неспаренного электрона на α-углеродном атоме, для радикалов II методом ЭПР не зарегистрировано образования парамагнитных центров иной природы при комнатной температуре.

Библиографическая ссылка: Пергушов В.И. , Осокина Н.Ю. , Мельников М.Я.
Фотопревращения аллильных радикалов, химически связанных с поверхностью диоксида кремния
Химия высоких энергий. 1997. Т.31. №1. С.25-32. РЖ ВИНИТИ

Идентификаторы БД:

РЖ ВИНИТИ:

3197.16Б4388