Sciact
  • EN
  • RU

Свободно-радикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния и их реакционная способность в реакциях замещения. I. Радикалы ≡SiO Научная публикация

Журнал Кинетика и катализ
ISSN: 0453-8811
Вых. Данные Год: 1990, Том: 31, Номер: 4, Страницы: 925-930 Страниц : 6
Авторы Бобышев А.А. , Радциг В.А.
Организации
1 Институт химической физики им. Н. Н. Семенова АН СССР, Москва
Реферат: Предложен способ получения на поверхности SiO2 свободнорадикальных центров и акцепторных групп (силиленов, силанонов, силадиоксиранов) заданной структуры. Проанализирована кинетика и механизм взаимодействия оксирадикалов с молекулами насыщенных углеводородов.
Библиографическая ссылка: Бобышев А.А. , Радциг В.А.
Свободно-радикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния и их реакционная способность в реакциях замещения. I. Радикалы ≡SiO
Кинетика и катализ. 1990. Т.31. №4. С.925-930. CAPlusCAРЖ ВИНИТИ
Переводная версия: Bobyshev A.A. , Radtsig V.A.
Free-radial centers with preassigned structure on the surface of silicon dioxide, and their reactivity in substitution reactions. I. Radicals ≡SiO
Kinetics and Catalysis. 1990. V.31. N4. P.810-815. WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: 3 мар. 1989 г.
Опубликована в печати: 1 июл. 1989 г.
Идентификаторы БД:
Chemical Abstracts: 1991:30798
Chemical Abstracts (print): 114:30798
РЖ ВИНИТИ: 90.23Б4388
Идентификаторы БД переводной версии:
Web of science: WOS:A1990FF91900005
Scopus: 2-s2.0-0026108361
РИНЦ: 31128301