Свободно-радикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния и их реакционная способность в реакциях замещения. II. ≡Si•,≡SiOO•, привитые углеводородные радикалы

Свободно-радикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния и их реакционная способность в реакциях замещения. II. ≡Si•,≡SiOO•, привитые углеводородные радикалы Научная публикация

Журнал

Кинетика и катализ
ISSN: 0453-8811

Вых. Данные

Год: 1990, Том: 31, Номер: 4, Страницы: 931-938 Страниц : 8

Авторы

Бобышев А.А. , Радциг В.А. , Сенченя И.Н.

Организации

1	Институт химической физики им. Н. Н. Семенова АН СССР, Москва
2	Институт органической химии им. Н. Д. Зелинского АН СССР, Москва

Определены константы скорости взаимодействия радикалов ≡Si•, ≡SiOO•, ≡SiCH2, ≡SiOCH2, ≡SiCH2CH2, ≡SiOCH2CH2, ≡SiOCO с H2(D2), CH4, C2H6 и C3H8. На основании полученных кинетических данных и результатов квантово-химических расчетов оценены термохимические характеристики исследованных реакций.

Бобышев А.А. , Радциг В.А. , Сенченя И.Н.
Свободно-радикальные центры заданной структуры на поверхности диоксида кремния и их реакционная способность в реакциях замещения. II. ≡Si•,≡SiOO•, привитые углеводородные радикалы
Кинетика и катализ. 1990. Т.31. №4. С.931-938. CAPlusCAРЖ ВИНИТИ

Bobyshev A.A. , Radtsig V.A. , Senchenya I.N.
Free-radical centers with assigned structure on surface of silicon dioxide, and their reactivity in replacement reactions. II. ≡Si, ≡SiOO, grafted hydrocarbon radicals
Kinetics and Catalysis. 1990. V.31. N4. P.815-822. WOS Scopus РИНЦ

Поступила в редакцию:	3 мар. 1989 г.
Опубликована в печати:	1 июл. 1989 г.

Chemical Abstracts:	1991:30799
Chemical Abstracts (print):	114:30799
РЖ ВИНИТИ:	90.23Б4389

Web of science:	WOS:A1990FF91900006
Scopus:	2-s2.0-0026104132
РИНЦ:	31074472